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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影响因素是什么?
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靶zhong毒的物理解释
(1)一般情况下,金属化合物的二次电子发射系数比金属的高,靶zhong毒后,靶材表面都是金属化合物,在受到离子轰击之后,释放的二次电子数量增加,自动磁控溅射镀膜机,提高了空间的导通能力,自动磁控溅射镀膜机价格,降低了等离子体阻抗,导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间,当发生靶zhong毒时,溅射电压会显著降低。(2)金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样,一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高,所以靶zhong毒后溅射速率低。(3)反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低,自动磁控溅射镀膜机安装,所以反应气体比例增加后,综合溅射速率降低。
磁控溅射镀膜的特点
1、靶材粒子能量高(比热蒸发高出1个数量级),所制备膜层更致密,与石英片结合力更高:
2、一般备有辅助离子源,可以用来清洗石英片,清洗效果好;
3、易于制备熔点高的材料;
4、制备合金膜层,自动磁控溅射镀膜机工作原理,可以保证膜层材料比例与靶材相同;
5、由于装有中和器,也可以用来制备绝缘膜层。
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磁控溅射的工作原理
是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。
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